Tipo P

0.4-1.1 <Ω·cm>

Resistividade

≤16 <ppma>

Teor de oxigênio

≤1 <ppma>

Teor de carbono

≥70 <µs>

Tempo de vida do portador minoritário

0.4-1.1 <Ω·cm>

Resistividade
≤16 <ppma>

Teor de oxigênio
≤1 <ppma>

Teor de carbono
≥70 <µs>

Tempo de vida do portador minoritário

Propriedades do material

Item

Especifica??es

Método de teste
Método de crescimento

Método Czochralski

--
Cristalinidade

Monocristalino

--
Tipo de condutividade

Tipo P

Testador PN
Tamanho

M10：：：182.2*182.2*φ247mm
G12：：：210*210*φ295mm

Separador de wafer de silício
Espessura

M10：：：90-160?m
G12：：：90-160?m

Separador de wafer de silício

Item	Especifica??es	Método de teste
Método de crescimento	Método Czochralski	--
Cristalinidade	Monocristalino	--
Tipo de condutividade	Tipo P	Testador PN
Tamanho	M10：：：182.2182.2φ247mm G12：：：210210φ295mm	Separador de wafer de silício
Espessura	M10：：：90-160?m G12：：：90-160?m	Separador de wafer de silício

Propriedades elétricas

Item

Especifica??es

Método de teste
Resistividade

0.4-1.1 <Ω·cm>

Separador de wafer de silício
Tempo de vida do portador minoritário

≥ 70 <µs>

Tempo de vida do portador minoritário do testador BCT-400
Teor de oxigênio

≤16<ppma>

Espectr?metro de infravermelhos com transferência de Fourier FTIR (ASTM F121-83)
Teor de carbono

≤1<ppma>

Espectr?metro de infravermelhos com transferência de Fourier FTIR (ASTM F123-91)

Item	Especifica??es	Método de teste
Resistividade	0.4-1.1 <Ω·cm>	Separador de wafer de silício
Tempo de vida do portador minoritário	≥ 70	Tempo de vida do portador minoritário do testador BCT-400
Teor de oxigênio	≤16	Espectr?metro de infravermelhos com transferência de Fourier FTIR (ASTM F121-83)
Teor de carbono	≤1	Espectr?metro de infravermelhos com transferência de Fourier FTIR (ASTM F123-91)

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