008PG国际

N-Typ monokristalliner Siliziumwafer

Beherrschung einer R

0.6-1.6 <Ω·cm>

Spezifischer Widerstand

≤12 <ppma>

Sauerstoffgehalt

≤1 <ppma>

Kohlenstoffgehalt

≥800 <µs>

Minorit?tstr?ger-Lebensdauer

Materialeigenschaften

Position Spezifikationen Prüfverfahren
Wachstumsmethode Streckziehverfahren --
Kristallinit?t Einkristall --
Leitf?higkeits-Typ N-Typ PN-Tester
Ma?e M10:182.2*182.2*φ247mm
G12:210*210*φ295mm
G12-R:182.3*210*φ272mm
Siliziumwafer-Sortierer
Dicke M10:90-160?m
G12:90-160?m
G12-R:90-160?m
Siliziumwafer-Sortierer

Elektrische Eigenschaften

Position Spezifikationen Prüfverfahren
Spezifischer Widerstand 0.6-1.6<Ω·cm> Siliziumwafer-Sortierer
Minorit?tstr?ger-Lebensdauer ≥800 Lebensdauer-Tester BCT-400
Sauerstoffgehalt ≤12 Fourier-Transform-Infrarot- Spektroskopie
FTIR (ASTM F121-83)
Kohlenstoffgehalt ≤1 Fourier-Transform-Infrarot- Spektroskopie
FTIR (ASTM F123-91)

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